测定射线

γ（X） 射线、中子射线

探测器

硅半导体

剂量当量范围

（Sv）    0μSv～ 999μSv   1.000mSv～ 999.9mSv   1.000Sv～ 9.999Sv

（rem）   0.0mrem ～ 999.9mrem   1.000rem ～ 999.9rem

显示误差     

γ（X） 射线　  ±10%（0.1mSv ～ 9.999Sv,¹³⁷Cs）

 中子射线    ±15%（0.5mSv ～ 9.999Sv,²⁵²Cf）

能量范围

γ（X） 射线 50keV ～ 6MeV；中子射线 0.025eV ～15MeV

能量特性

γ（X）射线　±20%（50keV ～ 6MeV, ¹³⁷Cs）

      中子射线　±50% （250keV ～ 4.5MeV, ²⁴¹Am-Be）

方向特性

γ（X） 射线　±20%（0 ～±60?, 垂直和水平,¹³⁷Cs）

　         ±50%（0 ～±60?, 垂直和水平, ²⁴¹Am）

　         ±30%（ 水平, 137Cs, 空气）

中子射线 　±30%（0 ～ ±75?, 垂直和水平,²⁴¹Am-Be）

剂量率直线性

γ（X） 射线　±10%（0.1mSv/h ～ 9.999Sv/h,¹³⁷Cs）

中子射线 　±20%（0.5mSv/h ～ 9.999Sv/h,²⁵²Cf）

响应时间

＜4秒

显示

LCD （ 带后灯）

报警音量及方式

声音85dB ～ 100dB，LED灯闪烁

报警值

可设定，包括剂量率和剂量

通讯方式

红外线通信

工作温度

- 20℃～＋ 50℃

工作湿度

35% ～ 95% 无结露

电    源

“CR123A” 电池1节

电池寿命

1年以上（1 天使用8小时）或者4个月以上（ 连续使用时）

外形尺寸

60W x 78H x 27Dmm（ 不包括夹子）

质   量

< 100g